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Huaweiの半導体設計子会社HiSiliconの何庭波（ティンボー・ホー）社長が、IEEE国際回路システムシンポジウムで独自の半導体最適化手法「Tauスケーリング則」を発表しました。トランジスタの微細化に依存するムーアの法則に代わり、チップ・回路・システム全体の演算速度を高速化するアプローチで、中国製チップと西側チップの性能差を数年内に縮小できると主張しています。
この発表の背景には、米国の輸出規制があります。HuaweiはTSMCとの取引を禁じられ、旧世代のリソグラフィ装置しか持たない中国SMICに依存せざるを得ません。最先端プロセスとの差は5年以上と推定されており、微細化の延長線上で追いつくのは現実的ではありません。HiSiliconはその制約を逆手に取り、チップ内の論理演算を高速化する「LogicFolding」や、チップ間インターコネクトの改善といった回路レベルの工夫で性能向上を図る戦略です。
何社長は「2026年冬までにサプライズを届ける」と宣言し、2031年までに1.4nmプロセス相当の性能を実現する目標を掲げました。TSMCが1.4nmの量産を2028年に予定していることを踏まえると、実現すれば中国の製造ラグは大幅に縮小します。ただし独立系アナリストのLennart Heim氏は、Huaweiの手法はハイブリッドボンディングや3D積層への依存度が高く、微細化の限界を示しているとも指摘しています。
今回の発表は、米国の制裁が中国の半導体産業を抑え込むどころか、独自の技術革新を促している可能性を示唆しています。半導体業界全体がムーアの法則の物理的限界に直面するなか、HiSiliconのシステムレベル最適化が量産段階で成果を出せるかが、今後の米中半導体競争の行方を左右する重要な試金石となるでしょう。